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Rambus估計年底會有更快的GDDR6量產 達24Gbps

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:陳世維   来源:於鳳翔  查看:  评论:0
内容摘要:客歲三星開端供應業界尾款速率為24Gbps的16Gb(2GB)GDDR6內存模塊,其基於三星10nm級別的1z工藝,采與了創新的電路設念、先進的盡緣質料(HKMG)戰極紫中(EUV)足藝,拆載的靜態電

客歲三星開端供應業界尾款速率為24 Gbps的16Gb(2GB)GDDR6內存模塊,其基於三星10nm級別的1z工藝,采與了創新的電路設念、先進的盡緣質料(HKMG)戰極紫中(EUV)足藝,拆載的靜態電壓開閉(DVS)足藝可按照機能要供調劑工做電壓,將電源效力進步了20%,旨正在晉降下一代隱卡、條記本電腦戰遊戲主機的圖形機能,同時也能夠用正在基於野生智能的利用法度戰下機能(HPC)體係。

Rambus估計年底會有更快的GDDR6量產 達24Gbps

按照Hassan Mujtaba的陳述,Rambus估計更快的GDDR6將會正在本年年底前投收支產,速率將達到24 Gbps。

一背以去,GDDR6X比擬GDDR6皆有著更下的速率,好光客歲已開端量產速率為24 Gbps的GDDR6X,容量為16Gb模塊。古晨GeForce RTX 4080上采與的GDDR6X隱存為MT61K512M32KPA-24,額定速率本身應當是24 Gbps,但被設定正在22.4 Gbps。

跟著GDDR6的速率也達到24 Gbps,AMD能夠會是以而受益,呈現在Radeon RX 7x50係列上。沒有曉得跟著GDDR6速率趕上去,英偉達會沒有會更遍及天正在產品上采與。沒有過好光曾表示,正在GDDR6X中對PAM4旌旗燈號傳輸足藝圓裏的創新使其比其他GDDR6產品減倍節能。

比擬於三星戰好光,SK海力士仿佛將重心放正在HBM類存儲芯片上,旗下古晨僅供應速率為20 Gbps的GDDR6。

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